晶体管元件查询
型号：LNB10R040W3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：147 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管DHD3205AFHP170N8F3AIRFP4332PbFSTP9NK50ZFPIXFH10N60FLM7177-12DACS3710B8STW5NA100FS3KM-5ALSGG04R035FQPF6N60CMGF2148GDH3205TLSG65R380GFSTK7000