晶体管元件查询
型号：LND10R040W3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：49 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管S85N12RIRFS38N20D2SK7385N08TIRFU0222SK3569FTK65T680F(NCE65T680F)2SK3564MGF2415A2SK2347IRFM350IRFJ420IPP120N04S4-01(4N0401)STP75NF75FQPF3N25