晶体管元件查询
型号：LNH4N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：77 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.7 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IPP60R280E6(6R280E6)DH110N152SK2674IRFK6H450IRFPG50IRF1312SKS6205DAFS3KM-10IRFP140NSTP40NF03LLNH04R035BPTP20N65TK5A65D2SK1350FDD8447L