晶体管元件查询
型号：LSB65R041GF
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.041 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管BSS89FQPF10N60CIPB05CN10NFTA07N60CSVF13N50PNFFSSUM-16(A)2SK1420STP16NF06LFPSPP20N60S5NCE75H11IPA057N08N3GIRLD110PTP20N65IRF1607PbF12N60A