晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSD65R950HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.95 Ω
封装：TO-220MF

更多N沟道场效应管SiSS78LDN2SK3399STP4N90K5HY4504W2SK1616IRFF42150N06RF1S40N10IRFIP054IRFP1413SK140IRFP442NE76038SSP5N90(A)MTP10N10EL

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