晶体管元件查询
型号：LSE65R180GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：205 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRF254SCT20N120IRFPF302SK875MGFC39V5258HY3215PFHP120N7F6ASVF8N65IRFP4242PbFTW015N65CSUD50N04LSC65R180GFSTB9NK70Z-1FQD1N60CIRFJ233