晶体管元件查询
型号：LSG60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管TK12A60DNCE60H10FHP100N08MGF2148G2SK204339N20IRFS3607PbFMGFX38V1722TTP145N08AIRF1310NLPbFM91FCS12N65A8RDHI140N09BUK443/60BFDI045N10A