晶体管元件查询
型号：LSG65R930GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.93 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FCH25N60NIRFU022IXFH10N100SVF7N65RU7588RSTW43NM60NDDHD180N10MGF2415AFTP06N652SK427FTK65T680DD(NCE65T680D)LNE10N602SK2983IRF224AOD472