晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSG70R1KGT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.08 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管STP4N62K32SK353BF246C2SK1578LSG80R680GTBUZ90AP60WN720ITIRF5112SK4086LS50N06HY3906BIRFF313IXFH8N659N203SK183

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