晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MDD4N20Y
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】27 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.35 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管IRFP460LCIRFIP240KIA2806A2SK2383SGD360N70W3AOD4842SK3919IRFS4710PbFFDPF33N25FQA28N50FQD1N80LND2N6080R900IRC450FHX35LG

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