晶体管元件查询
型号：MDP4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】92.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】92.5 W
漏极电流（ID）：4.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SP75N75P4NC60AIRFAE20IRFF310HY3810BIRFK4JE50APT5010LVRIRFP1422SK701SVD4N65MGFX38V9500SSP5N90(A)FTP06D85IRFR214SP80N40