晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:MG15G6EM1
类型:N沟道场效应管(绝缘栅型)
耗散功率(PD):125 W
漏极电流(ID):15 A
漏极和源极电压(VDSS):450 V
封装:4-227

更多N沟道场效应管(绝缘栅型)MF11N10ELYTF6302SK20152SK10842SK21072SK10063SK1232SK11392SK12692SK10402SK739,739-Z2SK2330(L)(S)2SK22082SK12932SK1007

中文 - English

电子爱好者