晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:MG8G4GM1
类型:N沟道场效应管(绝缘栅型)
耗散功率(PD):100 W
漏极电流(ID):8 A
漏极和源极电压(VDSS):450 V
封装:4-226

更多N沟道场效应管(绝缘栅型)PU61C562SK2021-012SK810FS10UM-52SK15252SK1265YTF8332SK1506IRF2302SK8692SK1647(L)(S)2SK15832SK16142SK2149FS18SM-10

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