晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MGF1100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.15 W
漏极电流（ID）：0.06 A
漏极和源极电压（VDSS）：8 V
封装：4-168

更多N沟道场效应管2SK2625LSFQL40N502SK2608IRFB5615PbFMGF13022SK1653AOD4454IRFB5620PbF2SK3687FSW1190AIRFP150NIRFSZ422SK3680TK7A60WFLM7177-8C/D

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