晶体管元件查询
型号：MMD60R580PB
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：70 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.58 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FHF12N65DHB070N06SGF280N80W3STP75NF75FP2SK2996MDP7N60FHP60N06BDHE110N15MGFK39V4045CS12N60A8RBSH103IXTA80N10T2SK2375MDF4N60FQA11N90