晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MTB4N80E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：4 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管IRFJ3232SK1181IRFK6H1507N507N20MGFX35V0510SPA12N50C3FDPF18N50TSGF600N70W3LNG06R230AOTF4744N65FIXFK90N20STP80NF10FLK052WG

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