晶体管元件查询
型号：MTD3N25E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管2SK1196FQA9N90C2SK8562SK697MGF2430A2SK1917MIRFZ25NCEP039N10DIRFJ233IRFD212HSS3N1004N03AO4468SPA15N60C32SK3518-01MR