晶体管元件查询
型号：MTP12N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：12 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.35 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管SSP5N70LNH045R09075NF75SVF12N65LSH65R570GTSSF5N60CSWF6N60(SW6N60)2SK725FTP03N50DIRL40SC22824N50HIRF522SVF2N60FIXTH10N95DHB90N035R