晶体管元件查询
型号：MTP4N35
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：4 A
漏极和源极电压（VDSS）：350 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.8 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IRFPF52SI2306(H306)HY1906SSH6N80ASSVF13N50PNLNC7N60FLM5359-142SK2647LSG65R380GTIRFSZ24HY3506WKGF1870BUK563-80BLNC20N602SK192