晶体管元件查询
型号：NJVMJB42CT4G
类型：PNP三极管
耗散功率（PD）：65 W
集电极电流（IC）：6 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：100 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：100 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：50 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝6 A】1.5 V
【集电极电流（Ic）＝6 A】1.5 V
特征频率（fT）：3 MHz
直流放大系数（hFE）：15~75
备注：与NJVMJB41CT4G互补
封装：D2PAK
更多PNP三极管2SB12302SA11022SA7712SA808A2N62272SA17582SA16462SA18032SB6332N19052SB10552SA8072SA1452BD244B2SB1535