晶体管元件查询
型号：OSG60R099HSZ
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管3SK112BF244CIRFJ132FHR02XIRFK2DC502SK1379IRF2804LPbFPHP3055EFHP170N8F3AFQP10N60CSCT20N120IRFSZ3590N252SK216IRFS3607PbF