晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：P20N60PN
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-3P

更多N沟道场效应管IRFZ352SK899IRFU320FLR024XP/XVIRFIZ34MS4N1350IRFZ44ZS2SK666SVD12N60FDH1404T2SK1723BSS1382SK4107DHE3205AUV6S100R

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