晶体管元件查询
型号：PTP04N04N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】206 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】206 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LSB65R041GTNE32184A-1.1MGF1404MGF4302AIRF251LSB55R050GTSTP6NK90ZFTA07N60CMDP10N027TH10N70DH130N032SK2632LSIRFSZ40IRFJ131RU6888R