晶体管元件查询
型号：RM10N600LD
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】67 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】67 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.36 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管HY1620BFLL200IB-1SI4410IRFD110HY3410PS3N65DH150N10FIR140N098RGIRF522MGFC36V5258IXTH5N90(A)2SK23752SK1242DH540FQD1N60C