晶体管元件查询
型号：RU75110R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LSG65R570GTLSH65R570GTIRFIP350FTK65T180F(NCE65T180F)LSD65R760GTIPW60R099C6(6R099C6)FHF84015N60SPD04N60C3PHP7NQ60EIRFF232STW13NB603SK177S85N16R2SK4070