晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB1K1N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管3SK97LSE65R380GFHY3608PUV4504RFHR02X2SK2648TK80E08K3FTA02N65C2SK685HY3912ASGF360N65W3IPP60R360P72SK3566SVF8N60AIRFU014

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