晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB1K1N70W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管FS3KM-16AIRFP450LCRF1S70N06SMMGF16012SK3747FQP70N10WML14N65C2BF999IXFH1N100IRF322DHI80N08LNH08R085IRFU222DH130N03SVT085R5NT

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