晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:SGB1K1N70W3
类型:N沟道场效应管
漏极电流(ID):5 A
漏极和源极电压(VDSS):700 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.1 Ω
封装:TO-263

更多N沟道场效应管P6N60STH6NA80NTMFS4C09NIRF024CSF2N602SK1537LNC06R110LSD55R290GTCS12N60A8RTTB115N08A2SK374IXFK94N50P22SK315STF13NM60NFK20SM-10

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