晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB660N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：6 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.66 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管DHB90N03P20N60KD2MGFK38V22282SK3714IRFZ34PbFDN2540N3DHB1710FDB024N04AL7TK39Z60X2SK3133IRFJ220IRL2910FLM3742-4B/DIRF512STW33N60

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