晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGD1K1N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管LSB65R180HTIRFU110SVG076R5NTIRFF212IRF613FLL300IL-1FQPF2N60C5N62K3BUK457-400AIRFJ222FLM1213-4DFHF840OR9013AHY5204WAOTF9N70

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