晶体管元件查询
型号：SIF12N60C
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220/TO-220FP
TO-220
TO-220FP
TO-220TO-220FP更多N沟道场效应管RU70190RCS48N78IPA60R600P7S(60S600P7)IRFP242IRFJ231IRF460NCEP40T15AGUIRCZ242SK3217SGF1K1N65W3SGF600N65W3NTMFS4C290N20N65YIRFI630FDP20N50