晶体管元件查询
型号：SLB12N65C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】259 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】259 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.72 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管SGT380N60SJMDF12N50S85N16RFTN01N65C2SK2352TK6P65WMTW10N100EIRF450BF410CHY3606PSTP8NK80Z2SK3868MGF1402SGW110N50W3FMV09N90E