晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SPP12N50C3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.38 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管IRFK3FC50SP10N15FTP05N50DMFA254H7N1004DSCEF80N752SK1402SK1092BSC020N03MSSWF8N65D2SK590HY3712B2SK274MGF2124G2SK2717

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