晶体管元件查询
型号：STH3N150-2
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：1500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：9 Ω
总耗散功率（Ptot）：140 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管CRSS052N08NBSC014N04LS(014N04LS)MGFX38V0510NCE60H10UV2300DMFP84N06NAP60WN720ITFIR140N098RGIRFZ30TS300V2SK2737STW8NB80STP10NK60ZFP2SK37472SK2746