晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：STV4N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：3.3 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V

更多N沟道场效应管DHI070N06IRF6139N50BFQA11N90HY3610BIRFUC207N60MGF2415ASM4N60SKGF1801IXTH50N25TSTW9NB80IRFB4227PbFSGT280N80W3JCS8N60F

中文 - English

电子爱好者