晶体管元件查询
型号：SUD50N02-09P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：39.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：20 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0095 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK2651LNG03R031JCS8N65CBSVD13N50FLM7785-12DLSGG10R085W3TK8A60DALNH05R1552SK2374MMF60R190PS80N08RHY3410PSCJP08N60IRFK4JE50MDF18N50