晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SVF12N65K
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：209 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.64 Ω
封装：TO-262

更多N沟道场效应管DH1404TIXTM5N9065R300IRF433SSH8N6012N65LIRFF131RU7588R2SK89110N65FC2SK2887JCS7N65SBIRFJ140LNL045R140IRF741

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