晶体管元件查询
型号：SVF8N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：48 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管HY3215PFSX03FA/LGDHB3205A2SK1257HUF75307AP2306NIRFK6J350IPD60R600P7S(60S600P7)SVD7N60FHP7402SK3980CS30N25A8RIRF63365R950FQP9N90C