晶体管元件查询
型号：SVG076R5NS
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：114 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK1963HY1620PIRFJ221SVF2N60TFHP100N0830N05SSP6N60STP3NK90ZFPIRFZ44ELPbFIRFZ343N1702SK83FLM7785-12DAIRFSZ452SK1530