晶体管元件查询
型号：TSF10N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】52 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】52 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRF6122SK2625LSSSH10N602SK2699HY3003PPTA13N45IRF431LNC06R110STP10NK70ZIRF2204PbFSTP140NF75BS107FHS110N8F5BIRL3713PbFJCS730R