晶体管元件查询
型号：TSF8N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFB5615PbFIRF430AO3400ABFW12LSG65R950HTIRFK4J4502SK3067SPR40N01LSC70R380GT2SK4110STB10NK60Z-1SGF600N65W32SK1170IRF3710IRFF433