晶体管元件查询
型号：WMM14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：85 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管AOTF474S85N10SSGF1K4N65W3SVD8N80IRFZ14FBM140N85SPP20N60C32SK754HY3215PIRFB61N15DPbFLNC08R085BUK437/600BSTP75NF75FPFTP14N50CFQI3N25