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VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(108W)、驱动电流小(0.1A左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

2009-5-22

本装置电路简单,易于调试,性能可靠,逆变和充电自动转换,带电瓶电量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又较低,适合电子爱好者组装。 工作原理 电路工作原理见图1。VT1和VT2构成多谐振荡器,振荡频率为5Hz。当电压下降时,为使频率不变,振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压,直接推动VMOS大功率管,经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。 继电器J1用于逆变和充电的自动转换。当电网送电时,J1通电,则J1-3接通电网电源,J1-2从变压器

2008-10-21
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