晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

硅光敏三极管 Type No. V (BR)CE V (RM)CE I D I L T 1) p (nm) P M (mW)

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

东芝S5S、S5ES机心I2C总线系统的调整 东芝S5S机心彩电的主要机型有2155D/DE/DH、2155SH/XC/XMJ等，S5ES机心彩电的主要机型有2555DE/SH/DH、2550XHE/XHC/XP/XMJ、2950XP/SHC/XHC、2950XHE/XMJ、2955DE/DH/SH等。这两种机心的彩电中央处理单元与存储器的电路均相同分别为M37222M6和NM24C04EN)，因此两者I2C总线系统的调整方法均相同。 1.进入维修调整模式的方法 在电视机处于正常收视状态

库仑定律：真空中两个静止的点电荷之间的作用力与这两个电荷所带电量的乘积成正比，作用力的方向沿着这两个点电荷的连线,同号电荷相斥，异号电荷相吸。 库仑定律成立的条件：处在真空中，必须是点电荷。 说明： （1）、两点电荷之间的作用力方向在它们的连线上，同种电荷相斥，异种电荷相吸，互为作用力和反作用力. （2）、用库仑定律计算静电力大小时，电荷Q 1 ，Q 2 代入绝对值即可，方向由同种电荷相斥异种电荷相吸来确定. （3）、K是一个常量叫做静电力常量，由实验测得K=910 9 Nm 2 /

超级电容器，是近年来随着材料科学和电子产品的发展而出现的一种介于传统电容器与电池之间的新型功率储能元件。具有高达数千法拉的电容量，瞬间放电电流可达数千安培。 超级电容器的结构如图3所示。双电层介质在电容器的二个电极上施加电压时，在靠近电极的电介质界面上产生与电极所携带的电荷极性相反的电荷并被束缚在介质界面上，形成事实上的电容器的二个电极。如图3所示，很明显，二个电极的距离非常小，只有几nm．同时活性炭多孔化电极可以获得极大的电极表面积，可以达到200 m2/g。因而这种结构的超级电容器具有

规格 型号 最大电压 (VDC) 最大功耗 (mW) 环境温度 （℃） 光谱峰值 (nm) 亮电阻 （10Lux) (K) 暗电阻 （M） 100 10 响应时间 mS 照度电阻特性

【题目1】： 如何理解国产集成电路型号的命名法和主要技术指标？ 【相关知识】：常用数字集成电路结构、外部特性和主要参数。 【解题方法】：数字集成电路除了TTL和CMOS两大类外，还有DTL，HTL，ECL，I2L，PMOS，NMOS等类型，这些类型的集成电路都可以看成是TTL和CMOS电路的改进型，使用时只要注意器件的参数即可，器件的参数可从器件手册上查到，了解集成电路型号的命名法对正确使用集成电路有帮助。 【解答过程】：1、 国产集成电路型号的命名法 国产集成电路器件的型号由五部分组成，各部分