3DU系列硅光敏三极管参数

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发布时间 2009-04-13

硅光敏三极管

Type No.
V(BR)CE
V(RM)CE
ID
IL
T1)
λp
(nm)
PM
(mW)
(V)
ICE
(V)
ICE
(μA)
V(BR)CE
(mA)
E
tr
td
tf
ts
(μA)
(LX)
(μs)
(μs)
(μs)
(μs)
3DU11
≥15
0.5
≥10
0.3
≤0.3
10
0.5~1
1000
3
2
3
1
880
70
12
≥45
≥30
50
20
30
≥0.6
≤3
≤2
≤3
≤1
75
20D
1.0
4
≤60
≤60
21
≥15
≥10
0.3
≤0.3
10
1~2
3
2
3
1
30
21B*
22
≥45
≥30
≤0.3
1~2
3
2
3
1
50
30*
≥0.6
≤3
≤2
≤3
≤1
75
30D
≥45
≤1.0
≥4
≤60
≤60
31
≥15
≥10
0.3
≤0.3
10
≥2
3
2
3
1
30
31B*
32
≥45
≥30
50
42
≥45
≤1.0
30
≥4
100
≤60
≤60
100
62
≥6
82
≥8

* 为带基极光敏三极管 1)T测试条件RL=50Ω VCE=10V 20D、30D、42、62、82为达林顿型

硅光敏三极管

参数项目
电气光学特性Ta=25±2℃
极限参数
最高工作电压
暗电流
光电流
上升时间
下降时间
峰值波长
最大功率
工作温度
符号
VRM(CE)
ID
IL
tr
tf
λp
PM
TOP
测试条件
ICE=ID
V=VRM(CE)
H=1000LX
VCE=10V
RL=50Ω,VCE=10V
脉冲电流幅度为1mA
     
型号  
3DU20-A
30V
≤0.1uA
≥1mA
≤5us
≤5us
880nm
30mw
–25℃—+65℃
3DU20-B
3DU20-C

标签: 光敏, 三极管, 参数, 3DU
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