sta500四重半桥功率芯片特性参数: 封装:Power SO-36 输出功率:在VCC=30V和HD=10%和8的负载下,输出230W的功率。 内部MOSFET能承受40V的DC电源电压, 在ID=1A下的导通电阻RDS(ON)仅约0.2, 当结温达到130℃以上时,履行热告警和热保护,同时还具有门限电压是7V的欠电

2009-6-3
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