晶体管元件查询
型号：AF75N02
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：66 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】66 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】66 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.018 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管SVD15NE50FLM1011-12DLSF65R930GTIXTM5N95SSP6N90AMDD1902LNC7N65DHY3608PFQD6N60CIXFK27N80Q65R30016N60H6N80IRFZ34FMR11N90E