晶体管元件查询
型号：FQD2N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：9 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管NCEP40T15AGU6N60H2SK2607FQP10N60CSUB85N03-04PSSF65R650S2DHD100N06STB13N60M22SK4097LSIRFP443WMO14N65C2LNG04R050FLC301MG-6FLK202XV2SK511