晶体管元件查询
型号：HY5012A
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
漏极和源极电压（VDSS）：125 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0036 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管LNG04R050MDD7N252SK83SVF8N60AHMS85N95D2SK1081MDP10N50THLSGC15R085W3WMN14N65C2SPTA65R160S85N16SLSC70R640GTSSH6N70DHE90N055RDHI110N15