晶体管元件查询
型号：HY5110W
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0025 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管STW26NM60NMGF2124GLSB55R140GFMTD6N15IRFJ142IRC634FQPF13N50CSMK630DIRFM240IXTH5N100STP100N8F6S80N10SJ309HM2302ALNL045R300