晶体管元件查询
型号：S80N10S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管STH3N150-2SVD2N70SiHG80N60EIRF100S201DH100N062SK3677LNL045R3002SK2327IRFB61N15DPbFIXTA50N25TMMD70R900PFTP08N50DFDA59N302SK3522PK6D0BA